[发明专利]晶圆级发光二极管阵列

摘要

公开了一种晶圆级发光二极管阵列以及一种用于制造该晶圆级发光二极管阵列的方法。该发光二极管阵列包括：生长基板；多个发光二极管，排列在基板上，其中，多个发光二极管中的每个发光二极管包括第一半导体层、有源层、第二半导体层；以及多个上电极，排列在多个发光二极管上并且由彼此相同的材料形成，其中，多个上电极电连接到对应的发光二极管的第一半导体层。另外，至少一个上电极电连接到与其相邻的发光二极管的第二半导体层，并且另一个上电极同与其相邻的发光二极管的第二半导体层绝缘。因此，提供了一种能够在高电压下运作并具有简化的制造工艺的发光二极管阵列。

主权项

1.一种发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括：生长基板；多个发光二极管，布置在基板上，所述多个发光二极管中的每个发光二极管具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一层间绝缘层,形成在所述多个发光二极管上并且暴露每个发光二极管的第一半导体层的一部分和第二半导体层的一部分；以及多个上电极，布置在所述第一层间绝缘层上并且由相同的材料形成，所述多个上电极中的每个上电极电连接到相应的发光二极管的第一半导体层的一部分，其中，至少一个上电极电连接到发光二极管中的相邻的一个发光二极管的第二半导体层的一部分，上电极中的另一上电极与发光二极管中的相邻的一个发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，上电极包括与第一半导体层欧姆接触的欧姆接触层和位于欧姆接触层上的反射导电层。