[发明专利]石墨烯垂直异质结器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810234998.X | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108470765B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李裴森;潘孟春;彭俊平;邱伟成;胡悦国;陈棣湘;胡佳飞;田武刚;张琦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/267;H01L21/331 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张鲜 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯垂直异质结器件及其制备方法，该石墨烯垂直异质结器件包括石墨烯层、第一异质层和具有贯穿孔的支撑基底，石墨烯层设于支撑基底表面，第一异质层位于贯穿孔中，第一异质层与石墨烯层物理结合构成第一异质结。制备方法，包括以下步骤：(1)在支撑基底上开设垂直于支撑基底表面的贯穿孔；(2)将悬浮石墨烯转移至支撑基底表面；(3)采用生长法在支撑基底的贯穿孔中制备第一异质层。该方法能解决传统石墨烯垂直器件制备存在的界面氧化、吸附和不平整等问题，所制备的垂向异质结器件具有电阻小、防氧化、界面平整、结构紧凑、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 垂直 异质结 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯垂直异质结器件，包括石墨烯层，其特征在于，还包括第一异质层和具有贯穿孔的支撑基底，所述石墨烯层设于支撑基底表面，所述第一异质层位于贯穿孔中，所述第一异质层与石墨烯层物理结合构成第一异质结。
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