[发明专利]一种石墨烯红外传感器结构有效
| 申请号： | 201810230961.X | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108565312B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/028 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯红外传感器结构，包括：石墨烯层；分设于石墨烯层上下表面上的第一铁电材料层、第二铁电材料层；其中，第一铁电材料层与第二铁电材料层的剩余极化方向相反，以进一步增强对石墨烯层内部载流子密度的影响，从而实现对红外信号的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电材料层 石墨烯层 红外传感器 石墨烯 载流子 剩余极化方向 红外信号 上下表面 分设 探测 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯红外传感器结构，其特征在于，包括：/n石墨烯层；/n分设于所述石墨烯层上下表面上的第一铁电材料层、第二铁电材料层；/n所述第二铁电材料层的下表面上设有第一电极，所述石墨烯层的上表面两端上分设有第二电极，所述第一铁电材料层的上表面上设有第三电极；/n其中，所述第一铁电材料层与第二铁电材料层的剩余极化方向相反，以增强对石墨烯层内部载流子密度的影响，从而实现对红外信号的探测。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
