[发明专利]一种石墨烯红外传感器结构有效
申请号: | 201810230961.X | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN108565312B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/028 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁电材料层 石墨烯层 红外传感器 石墨烯 载流子 剩余极化方向 红外信号 上下表面 分设 探测 | ||
1.一种石墨烯红外传感器结构,其特征在于,包括:
石墨烯层;
分设于所述石墨烯层上下表面上的第一铁电材料层、第二铁电材料层;
所述第二铁电材料层的下表面上设有第一电极,所述石墨烯层的上表面两端上分设有第二电极,所述第一铁电材料层的上表面上设有第三电极;
其中,所述第一铁电材料层与第二铁电材料层的剩余极化方向相反,以增强对石墨烯层内部载流子密度的影响,从而实现对红外信号的探测。
2.根据权利要求1所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,所述第一电极的面积大于石墨烯层和第二铁电材料层的面积,且其垂直投影完全包围石墨烯层和第二铁电材料层。
3.根据权利要求1所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,所述第三电极与两个第二电极之间在垂直投影方向上存在部分交叠区域。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,所述第一铁电材料层的面积小于石墨烯层的面积,且其垂直投影容于石墨烯层以内;所述第二铁电材料层的面积大于石墨烯层的面积,且其垂直投影完全包围石墨烯层。
5.根据权利要求1所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,还包括上下相连设置的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层将石墨烯层、第二电极、第一铁电材料层、第三电极包容在其中,所述第二介质层将第二铁电材料层、第一电极包容在其中。
6.根据权利要求5所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,还包括设于第一介质层表面上并分别连接第一电极、第二电极、第三电极的第一电极引出、第二电极引出、第三电极引出。
7.根据权利要求6所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,所述第一电极引出、第二电极引出、第三电极引出分别通过通孔连接第一电极、第二电极、第三电极。
8.根据权利要求1所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,所述第一铁电材料层和第二铁电材料层材料为PZT。
9.根据权利要求1所述的石墨烯红外传感器结构,其特征在于,所述石墨烯层还作为对第一铁电材料层和第二铁电材料层进行极化的初始电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的