[发明专利]磁阻效应元件有效
| 申请号： | 201810223951.3 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108695432B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 牧野健三;渡边克;西冈康;高桥宏和 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的磁阻效应元件具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着所述第一面延伸，并且层叠在所述磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着所述第一面延伸，并且隔着所述介入层设置在所述磁化自由层的相反侧，所述磁化自由层包括对所述第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。
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