[发明专利]磁阻效应元件

说明书

本发明的磁阻效应元件具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。

技术领域

本发明涉及一种包括磁化自由层的磁阻效应元件。

背景技术

作为检测外部磁场的磁场检测装置，已知利用霍尔元件(Hall element)、磁阻效应元件的磁场检测装置(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2008/146809号

发明内容

然而，要求提高这样的磁场检测装置的磁场检测精度。因此，期望提供一种具有更低的饱和磁场的磁化自由层的磁阻效应元件。

作为本发明的一种实施方式的磁阻效应元件，具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。在这里，磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。

附图说明

图1是表示包括作为本发明的一种实施方式的磁阻效应元件的磁阻效应器件的整体结构的立体图。

图2是图1所示的磁阻效应元件的一部分的截面形状的示意图。

图3A是图1所示的磁化自由层的磁化状态的示意截面图。

图3B是作为参考例子的磁化自由层的磁化状态的示意截面图。

图4A是图3B所示的磁化自由层的磁化状态的示意第一平面图。

图4B是图3B所示的磁化自由层的磁化状态的示意第二平面图。

图4C是图3B所示的磁化自由层的磁化状态的示意第三平面图。

图5是表示包括作为变形例的磁阻效应元件的磁阻效应器件的整体结构的立体图。

图6A是表示实验例1的端面的最大倾斜角度与角度误差的关系的特性图。

图6B是表示实验例2的端面的最小倾斜角度与角度误差的关系的特性图。

图7A是表示实验例3的磁化自由层的厚度与磁化自由层的饱和磁场的关系的特性图。

图7B是表示实验例4的磁化自由层的厚度与磁化自由层的电阻变化率的关系的特性图。

图7C是表示实验例5的磁化自由层的长度与磁化自由层的饱和磁场的关系的特性图。

图8是表示实验例6的磁化自由层的平坦部分的长度和倾斜部分的长度与磁化自由层的饱和磁场的关系的特性图。

符号的说明

1、1A 磁阻效应元件

2 磁化固定层

3 介入层

4 磁化自由层

41 端面

5 上部电极

6 下部电极

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式，参照附图进行详细说明。再有，说明按以下的顺序进行。

1.一种实施方式

2.实验例

3.其他变形例