[发明专利]新型P 基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法

摘要

本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域，公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能，掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2‑3倍，并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比，最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压，蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。

主权项

1.一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，其特征在于，所述新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法包括以下步骤：步骤一，将原料按化学计量比Ag6Ge10(1‑x)Ga10xP12在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中；其中，x＝0.0,x＝0.01,x＝0.03,x＝0.04；步骤二，置于马沸炉中；研磨所得样品得到粉末，真空封于石英管中，置于马沸炉中，并在600摄氏度退火，所得样品经SPS快速烧结技术制成致密性良好的块材。