[发明专利]新型P 基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810223262.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108425150B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 卢旭;周小元;沈星辰;王桂文 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B28/02;C01B25/08 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包晓静 |
| 地址： | 400044 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 化合物 ag6ge10p12 热电 性能 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，其特征在于，所述P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法包括以下步骤：
步骤一，将原料按化学计量比Ag6Ge10(1-x)Ga10xP12在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封于石英管中；其中， x＝0 .01 ,x＝0 .03 ,x＝0 .04；
步骤二，置于马沸炉中，用1650分钟升温到1050摄氏度；研磨所得样品得到粉末，真空封于石英管中，置于马沸炉中，并在600摄氏度退火，所得样品经SPS快速烧结技术制成致密性良好的块材；由此得到掺杂Ga 的 P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料。
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