[发明专利]一种制备大面积铜Cu（111）单晶的方法有效
| 申请号： | 201810218065.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110273176B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 武斌;张家宁;杨贺;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C30B33/02;C30B33/00;C22F1/08 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积单晶Cu(111)的方法。该方法包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu(111)；每次处理均为先抛光，后退火。上述方法中，若干次至少为3次；具体为3次或4次。利用该方法所得铜箔的晶面均为(111)面，且单晶Cu(111)的面积仅仅受限于制备容器的大小，从而实现了单晶Cu的大面积制备，具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 cu 111 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备单晶Cu(111)的方法，包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu(111)；每次处理均包括抛光和退火。
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