[发明专利]一种制备大面积铜Cu（111）单晶的方法有效
| 申请号： | 201810218065.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110273176B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 武斌;张家宁;杨贺;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C30B33/02;C30B33/00;C22F1/08 |
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| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 cu 111 方法 | ||
1.一种制备单晶Cu（111）的方法，包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu（111）；
每次处理均为抛光和退火；
所述若干次至少为3次。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述若干次为3次或4次。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述抛光步骤中，抛光方法为电化学抛光。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述电化学抛光步骤中，所用抛光液由水、磷酸、乙醇、异丙醇和尿素组成；
电压为3 V-5 V；
电流为2 A-4 A；
抛光时间为2 min-5 min。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述抛光液中，水、磷酸、乙醇、异丙醇和尿素的用量比为250 mL：125 mL：125 mL：25 mL：4g。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述退火在惰性气体和还原性气体存在的条件下进行；
惰性气体的流量为100 sccm-400 sccm；
还原性气体的流量为50 sccm-200 sccm；
退火温度为1070 oC-1083 oC；
退火时间为30 min-180 min。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述惰性气体为氩气或氮气；
所述还原性气体为氢气。
8.根据权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述方法还包括如下步骤：每次退火后，将铜箔自然冷却至室温。
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