[发明专利]半导体元件及用于制造半导体元件的方法

摘要

本公开涉及半导体元件及用于制造半导体元件的方法。一种用于制造半导体元件的方法包括：形成覆盖半导体元件的元件层的硬掩模层、在硬掩模层上形成心轴底层、以及在心轴底层上形成心轴层。心轴层具有沿第一方向延伸的多条心轴线。在心轴底层中形成在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个开口。在心轴底层和心轴层上形成间隔层。间隔层填充心轴底层中的多个开口。去除间隔层的一些部分以暴露心轴底层的上表面和心轴层的上表面，并且去除心轴层。通过使用间隔层的剩余部分作为掩模，去除心轴底层和硬掩模层，以形成具有沿第一方向延伸的第一硬掩模图案线和沿第二方向延伸的第二硬掩模图案线的硬掩模图案。

主权项

1.一种用于制造半导体元件的方法，包括：形成覆盖半导体元件的元件层的硬掩模层；在所述硬掩模层上形成心轴底层；在所述心轴底层上形成心轴层，其中所述心轴层具有沿第一方向延伸的多条心轴线；在所述心轴底层中形成在基本垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多个开口；在所述心轴底层和所述心轴层上形成间隔层，其中所述间隔层填充所述心轴底层中的所述多个开口；去除所述间隔层的一些部分以暴露所述心轴底层的上表面和所述心轴层的上表面；去除所述心轴层；以及通过使用所述间隔层的剩余部分作为掩模，将所述心轴底层和所述硬掩模层图案化，以形成具有沿所述第一方向延伸的第一硬掩模图案线和沿所述第二方向延伸的第二硬掩模图案线的硬掩模图案。