[发明专利]一种半导体材料生产技术设备有效
申请号: | 201810211383.5 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108538754B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 郑少燕;朱燕贤;谢发燕 | 申请(专利权)人: | 绍兴奥美电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 张丽丽 |
地址: | 312500 浙江省绍兴市新昌县七星街道省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体材料生产技术设备,包括主机体,所述主机体内设有第一空腔,所述第一空腔右侧的所述主机体内设有第二空腔,所述第二空腔上侧的所述主机体内设有第三空腔,所述第一空腔内顶壁内相连通设有导滑槽,所述导滑槽位于所述第三空腔左侧位置,所述主机体左侧端面内设有与所述第一空腔相连通设置的第一贯通槽,所述第一空腔与所述第二空腔之间的部分内相连通设有第二贯通槽,所述主机体右侧端面内设有与所述第二空腔相连通设置的第三贯通槽,所述第三空腔与所述导滑槽之间的部分内固设有第一电机,所述第三空腔内设有第一转动轴,所述第一转动轴上周向固设有第一锥轮。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体材料 生产技术 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体材料生产技术设备,包括主机体,其特征在于:所述主机体内设有第一空腔,所述第一空腔右侧的所述主机体内设有第二空腔,所述第二空腔上侧的所述主机体内设有第三空腔,所述第一空腔内顶壁内相连通设有导滑槽,所述导滑槽位于所述第三空腔左侧位置,所述主机体左侧端面内设有与所述第一空腔相连通设置的第一贯通槽,所述第一空腔与所述第二空腔之间的部分内相连通设有第二贯通槽,所述主机体右侧端面内设有与所述第二空腔相连通设置的第三贯通槽,所述第三空腔与所述导滑槽之间的部分内固设有第一电机,所述第三空腔内设有第一转动轴,所述第一转动轴上周向固设有第一锥轮,所述第一转动轴左侧端与所述第一电机右侧端动力配合连接,所述导滑槽内设有第一螺杆,所述第一螺杆右侧端与所述第一电机左侧端动力配合连接,所述第一螺杆左侧端与所述导滑槽左侧内壁转动配合,所述第一转动轴右侧端与所述第三空腔右侧内壁转动配合,所述导滑槽内滑动配合连接有与所述第一螺杆螺纹配合连接的导滑块,所述第一空腔内滑动配合连接有顶部与所述导滑块底部固定配合连接的牵引装置,所述第二贯通槽内上下对称设有导入驱动辊,所述第二空腔内滑动配合连接有支撑架体,所述第二空腔内顶壁内相连通设有向上延伸设置的凹入槽,所述第三空腔与所述凹入槽之间的部分内转动配合连接有第二转轴,所述第二转轴顶部端固设有伸入所述第三空腔内的第二锥轮,所述第二锥轮与所述第一锥轮动力配合连接,所述第二转轴底部末端固设有向下延伸设置的第二螺杆,所述第二螺杆底部延伸末端伸入所述第二空腔内,所述第二螺杆上螺纹配合连接有向下延伸设置的内螺纹套筒,所述内螺纹套筒底部延伸末端与所述支撑架体顶部端面固定配合连接,所述第二空腔靠近所述第三贯通槽一侧的内顶壁内设有沉接槽,所述沉接槽内滑动配合连接有向下延伸设置的挡板,所述挡板底部延伸末端与所述支撑架体顶部端面固定配合连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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