[发明专利]一种具有隐藏共存非对称行为的三维忆阻Hindmarsh-Rose模型电路在审
| 申请号： | 201810207994.2 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108427843A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 包伯成;胡爱黄;孙梦霞;吴平业;罗娇燕 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有隐藏共存非对称行为的三维忆阻Hindmarsh‑Rose模型电路。为了更好地模拟在电磁感应干扰下的神经元电活动的复杂动力学行为，本发明通过在二维Hindmarsh‑Rose神经元模型中引入理想磁控忆阻，构建了一种新颖的三维忆阻Hindmarsh‑Rose神经元模型，且该模型没有任何平衡点，其所能够产生的共存非对称吸引子均为隐藏的。同时，提出了该忆阻Hindmarsh‑Rose神经元模型的电路实现方案，利用该电路可以模拟神经元的复杂电活动。 | ||
| 搜索关键词： | 神经元模型 非对称 三维 模型电路 神经元电活动 复杂动力学 模拟神经元 电磁感应 电路实现 电活动 平衡点 吸引子 磁控 二维 构建 电路 引入 | ||
【主权项】：
1.一种具有隐藏共存非对称行为的三维忆阻Hindmarsh‑Rose模型电路，其特征在于：为了模拟在电磁感应干扰下神经元电活动的复杂动力学行为，通过在二维Hindmarsh‑Rose神经元模型中引入一个理想磁控忆阻，构建可产生隐藏共存非对称吸引子的新颖三维忆阻Hindmarsh‑Rose神经元模型。
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