[发明专利]一种具有隐藏共存非对称行为的三维忆阻Hindmarsh-Rose模型电路在审
| 申请号： | 201810207994.2 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108427843A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 包伯成;胡爱黄;孙梦霞;吴平业;罗娇燕 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 神经元模型 非对称 三维 模型电路 神经元电活动 复杂动力学 模拟神经元 电磁感应 电路实现 电活动 平衡点 吸引子 磁控 二维 构建 电路 引入 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有隐藏共存非对称行为的三维忆阻Hindmarsh-Rose模型电路，其特征在于：为了模拟在电磁感应干扰下神经元电活动的复杂动力学行为，通过在二维Hindmarsh-Rose神经元模型中引入一个理想磁控忆阻，构建可产生隐藏共存非对称吸引子的新颖三维忆阻Hindmarsh-Rose神经元模型。
2.根据权利要求1所述的一种具有隐藏共存非对称行为的三维忆阻Hindmarsh-Rose模型电路，其特征在于：所述三维忆阻Hindmarsh-Rose神经元模型的实现电路包括理想磁控忆阻实现电路和二维Hindmarsh-Rose神经元模型实现电路。
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