[发明专利]全包覆栅极晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种全包覆栅极晶体管，包括：具有初始的第一宽度的鳍体，鳍体的底部通过第一绝缘层隔离；源区和漏区形成于对应的沟道区两侧的鳍体中；在伪栅去除后，在沟道区中形成有多条具有第一宽度的沟道线体，各沟道线体由对沟道区中的鳍体在纵向分割形成；在金属栅极结构形成之前，各沟道线体的进行了各向同性刻蚀的减薄并具有第二宽度，金属栅极结构覆盖在具有第二宽度的各沟道线体的周侧。本发明还公开了一种全包覆栅极晶体管的制造方法。本发明能降低沟道线体的宽度和减少工艺过程中的鳍体的深宽比，降低工艺难度，能防止鳍体的弯曲和倒塌，能增加嵌入式结构的面积和晶格缺陷，能增加源漏区的接触孔的接触面积并降低接触电阻。

主权项

1.一种全包覆栅极晶体管，其特征在于，包括：鳍体，由形成于半导体衬底上的第一半导体外延层进行光刻刻蚀后形成的条状结构，所述鳍体具有初始的第一宽度；所述鳍体的底部通过第一绝缘层隔离且而被所述第一绝缘层隔离的所述鳍体的底部保持第一宽度；源区和漏区形成于对应的沟道区两侧的所述鳍体中且所述源区和所述漏区的形成区域通过覆盖在所述沟道区的顶部表面和侧面的伪栅自对准定义；在所述伪栅去除后，在所述沟道区中形成有多条具有第一宽度的沟道线体，各所述沟道线体由对所述沟道区中的所述鳍体在纵向分割形成；所述伪栅去除之后以及在所述金属栅极结构形成之前，各所述沟道线体的进行了各向同性刻蚀的减薄，减薄后的各所述沟道线体具有第二宽度，所述金属栅极结构覆盖在具有第二宽度的各所述沟道线体的周侧；通过减少所述第二宽度增加所述沟道区的沟道的长宽比；所述第一宽度大于所述第二宽度，通过所述第一宽度降低所述金属栅极结构形成前的所述鳍体的深宽比。