[发明专利]一种铜锌锡硫光电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810204186.0 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108615671B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李倩;王丝玉;李林波;夏进;吴杰;黄文龙;杨强强 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710055*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫光电薄膜的制备方法。该方法将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡和氢氧化钠混合均匀，烧结球磨后得到复合氧化物纳米墨水，将其旋涂在钼基底上得到氧化物预制层薄膜，将氧化物预制层薄膜和硫粉置于管式炉中退火处理，得到铜锌锡硫光电薄膜。本发明的制备方法制备的铜锌锡硫光电薄膜的致密均匀，颗粒粒径约为1μm左右，光吸收系数高，吸收层带隙宽度接近理论值，适宜用于做薄膜太阳能电池；另外，本发明的制备方法成本低，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫 光电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜锌锡硫光电薄膜的制备方法，其特征在于：该方法将硫酸铜溶液、硫酸锌、硫酸亚锡和氢氧化钠按照质量浓度比为2：1：1.5：1的比例进行混合，分离得到复合沉淀；将复合沉淀烧结得到复合氧化物纳米颗粒，将复合氧化物纳米颗粒、乙醇、甲基纤维素和PVP混合球磨，得到复合氧化物纳米墨水；将复合氧化物纳米墨水旋涂在钼基底上得到氧化物预制层薄膜，将氧化物预制层薄膜进行硫化退火处理，得到铜锌锡硫光电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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