[发明专利]一种介质阵列开关有效
| 申请号： | 201810194309.7 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108398736B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 龚荣洲;牛晓燕;王鲜;祁冬 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;H01P1/10 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于电磁波开关技术领域，公开了一种介质阵列开关，包括基座、设置在基座上由M*N根介质柱构成的介质阵列以及设置在介质阵列两侧的加热部件；介质阵列的介质柱之间填充有熔点低且熔化后流动性强的物质；工作时，入射波从平行于基座的方向射入，对填充物进行加热；当加热温度达到填充物熔点时填充物熔化，介质柱间隙内填充物为环境气体，使得介质柱柱体部分的介电常数发生变化，从而引起介质阵列开关对特定波段电磁波的透射率发生变化，以实现电磁波通过或被阻断的开关功能；本介质阵列开关能够阻绝外界电磁波通过，可以不受外部电磁干扰的影响，抗干扰特性好；适用于通信波段、红外波段，应用波长范围极宽；开关性能明显，且稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 阵列 开关 | ||
【主权项】：
1.一种介质阵列开关，其特征在于，包括基座、设置在基座上由M*N根介质柱构成的介质阵列以及设置在介质阵列两侧的加热部件；M的取值范围为10～20，N的取值范围为8～16；介质阵列的介质柱之间具有填充物；工作时，入射波从平行于基座的方向射入，对填充物进行加热；当加热温度达到填充物熔点时填充物熔化，介质柱间隙之间为环境气体所填充，使得介质柱柱体部分的介电常数发生变化，引起介质阵列开关对特定波段电磁波的透射率发生变化，实现电磁波通过或被阻断的开关功能。
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