[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810193446.9 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108695260B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 东条启;小林龙也;下川一生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，半导体装置包含基体、器件层和包含第1膜的膜。上述基体包含第1半导体元件，且具有第1面、第2面和位于上述第1面与上述第2面之间的侧面。上述器件层包含与上述第1半导体元件电连接的第2半导体元件，且被设置于上述基体的第1面上。上述包含第1膜的膜包含第1区域、第2区域及第3区域。在第1方向，上述基体位于上述第1区域与器件层之间。在与上述第1方向交叉的第2方向，上述基体位于上述第2区域与上述第3区域之间。上述第1膜将上述第2面、及上述侧面的凹凸埋入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：基体：所述基体包含第1半导体元件，且具有第1面、第2面和位于所述第1面与所述第2面之间的侧面，器件层：所述器件层包含与所述第1半导体元件电连接的第2半导体元件，且被设置于所述基体的第1面上，和包含第1膜的膜：所述包含第1膜的膜包含第1区域、第2区域和第3区域，而且，在第1方向，所述基体位于所述第1区域与所述器件层之间，在与所述第1方向交叉的第2方向，所述基体位于所述第2区域与所述第3区域之间，所述第1膜将所述第2面及所述侧面的凹凸埋入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810193446.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
