[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201810188323.6 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN108493203A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 程亚杰;王三坡;占琼;张玉静;黄攀 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种图像传感器,包括基底,形成在所述基底上的金属栅格,以及,形成在所述金属栅格上的间隔阻障层。本发明通过采用能够反射光线的间隔阻障层反射光线,以实现降低图像传感器中临近像素单元之间的光串扰的问题,从而提高了图像传感器的成像质量。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 反射光线 金属栅格 阻障层 基底 像素单元 光串扰 成像 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:一基底,所述基底中形成有光电二极管;多个金属栅格,形成在所述基底上,并且相邻所述金属栅格相互间隔,以形成有开口,所述开口界定出光学通道;多个间隔阻障层,一个所述间隔阻障层对应形成在一个所述金属栅格上,所述间隔阻障层用于反射照射在其上的光线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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