[发明专利]图像传感器

说明书

本发明提供了一种图像传感器，包括基底，形成在所述基底上的金属栅格，以及，形成在所述金属栅格上的间隔阻障层。本发明通过采用能够反射光线的间隔阻障层反射光线，以实现降低图像传感器中临近像素单元之间的光串扰的问题，从而提高了图像传感器的成像质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器。

背景技术

图像传感器是能够将图像信息转化为电信号的半导体传感器，多应用于数码相机等影像设备中，通常而言，图像传感器可分为电荷耦合器件(Charge-coupled Device，CCD)传感器以及CMOS图像传感器(CMOS Imaging Sensor，CIS)。

目前的CMOS图像传感器中，为了防止各个像素之间出现光串扰，采用了金属栅格结构以隔离不同的像素中的光线。然而，随着图像传感器的像素密度的提升，像素单元的尺寸也在不断缩小，仅采用金属栅格结构以防止相邻像素之间的光串扰，也愈发不能满足需求了。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图像传感器以解决现有技术中像素单元之间光串扰的问题。

本发明提供的一种图像传感器，包括：

一基底，所述基底中形成有光电二极管；

多个金属栅格，形成在所述基底上，并且相邻所述金属栅格相互间隔，以形成有开口，所述开口界定出光学通道；

多个间隔阻障层，一个所述间隔阻障层对应形成在一个所述金属栅格上，所述间隔阻障层用于反射照射在其上的光线。

优选的，所述间隔阻障层的折射率大于等于2。

优选的，所述间隔阻障层的材料包括氮化硅。

优选的，所述金属栅格包括自下而上依次形成的粘合层、金属层和抗反射层。

优选的，所述金属层的材质包括铝或钨。

优选的，所述粘合层和抗反射层的材料为氮化钛。

优选的，所述图像传感器还包括多个栅格填充层，所述栅格填充层形成在所述基底上，并填充所述开口。

优选的，所述图像传感器还包括滤光片，所述滤光片形成在所述间隔阻障层和所述栅格填充层上。

优选的，所述图像传感器还包括微型透镜，所述微型透镜形成在所述滤光片上。

优选的，所述间隔阻障层的厚度为1000埃～2000埃。

本发明提供的一种图像传感器，在金属栅格上形成了间隔阻障层，所述间隔阻障层能够反射光线，进而，可以用于反射临近的像素单元引入的光线，从而降低了临近像素单元之间的光串扰的问题，提高了图像传感器的成像质量；并且，在提升传感器芯片性能的同时也不会增加成本，具有更强的竞争力。

附图说明

图1是本发明一实施例中图像传感器的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种图像传感器作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1是本发明一实施例中图像传感器的结构示意图，以下参考图1所示，本发明提供的一种图像传感器，包括：

一基底1，所述基底中形成有光电二极管；

多个金属栅格2，形成在所述基底1上，并且相邻所述金属栅格2相互间隔，以形成有开口，所述开口界定出光学通道；