[发明专利]一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法在审
| 申请号： | 201810183927.1 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108321262A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;刘璋成;赵丹;张明辉;王玮;问峰;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L33/36;H01L33/64 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 垂直结构 金刚石层 高掺杂 欧姆接触电极 保护金属层 单晶金刚石 依次设置 衬底 碳化硅层 效率问题 依次层叠 制作 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，其特征在于，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底(1)、p型硼高掺杂金刚石层(2)、i型碳化硅层(3)和n型磷高掺杂金刚石层(4)，所述单晶金刚石衬底(1)向外依次设置欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)，所述n型磷高掺杂金刚石层(4)向外依次设置欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)。
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