[发明专利]一种低成本、超细栅线的MWT太阳能电池制备方法在审
| 申请号： | 201810182799.9 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108269865A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李军;李质磊;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低成本、超细栅线的MWT太阳能电池制备方法，MWT太阳能电池制备过程中，在作为衬底的硅片表面，按照MWT太阳能电池的正电极图形中副栅对应的位置刻槽。本发明采用正面刻槽划线的方式，在电池片正面制备不同宽度和深度的开槽，采用丝网印刷的方式，使用低线宽网版匹配高透过性的正银浆料，可以保证高宽比的前提下有效降低栅线宽度，降低遮光面积，同时推行密栅高阻显著提升效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池制备 栅线 低成本 超细 刻槽 电池片正面 正电极图形 太阳能电池 高透过性 硅片表面 丝网印刷 正银浆料 高宽比 衬底 副栅 高阻 开槽 密栅 网版 线宽 遮光 划线 制备 匹配 推行 保证 | ||
【主权项】：
1.一种低成本、超细栅线的MWT太阳能电池制备方法，其特征在于：MWT太阳能电池制备过程中，在作为衬底的硅片表面，按照MWT太阳能电池的正电极图形中副栅对应的位置刻槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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