[发明专利]一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810182729.3 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108342690A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 赵青南;曾臻;刘翔;张泽华;李渊;赵修建 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 邬丽明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。所述透明导电薄膜采用镓掺杂氧化锌材料，所述透明导电薄膜中氧化锌的质量百分比为99～90wt.％，所述透明导电薄膜中氧化镓元素的质量百分比为1～10wt.％，所述透明导电薄膜的膜厚为40nm≤d≤100nm。该制备方法包括以下步骤：1)提供清洗后的洁净玻璃衬底；2)将玻璃衬底固定到镀膜真空室旋转基片台；真空室背底真空低于2.5×10‑3Pa；3)采用射频磁控溅射镀膜工艺镀制薄膜。本发明中的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其光学性能满足550nm可见光透射率>80％；其方块电阻R□>150kΩ/□。而且，该薄膜能够连续成膜，成膜均匀性佳，特别适用于IPS液晶显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电薄膜 掺镓氧化锌 方阻 制备 质量百分比 衬底 薄膜 可见光透射率 射频磁控溅射 镓掺杂氧化锌 成膜均匀性 镀膜真空室 镀膜工艺 方块电阻 光学性能 洁净玻璃 连续成膜 旋转基片 氧化锌 氧化镓 真空室 镀制 膜厚 清洗 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜采用镓掺杂氧化锌材料，所述透明导电薄膜中氧化锌的质量百分比为99～90wt.％，所述透明导电薄膜中氧化镓元素的质量百分比为1～10wt.％，所述透明导电薄膜的膜厚为40nm≤d≤100nm。
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