[发明专利]一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜采用镓掺杂氧化锌材料，所述透明导电薄膜中氧化锌的质量百分比为99～90wt.％，所述透明导电薄膜中氧化镓元素的质量百分比为1～10wt.％，所述透明导电薄膜的膜厚为40nm≤d≤100nm。

2.如权利要求1所述的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的膜厚为40nm≤d≤60nm。

3.如权利要求1所述的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其特征在于，所述高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜为连续成膜。

4.如权利要求1所述的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的方块电阻R□>150kΩ/□，550nm可见光透射率>80％。

5.如权利要求1至4任一项所述的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供清洗后的洁净玻璃衬底；

2)将玻璃衬底固定到镀膜真空室旋转基片台；真空室背底真空低于2.5×10^-3Pa；

3)采用射频磁控溅射镀膜工艺镀制薄膜：在15～25℃下采用高纯Ar气为溅射气体，溅射功率密度为1.6～4.0W·cm^-2，功率为40～100W，电流为20～48A，溅射气压为0.2～1.0Pa。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中清洗方法为：将玻璃衬底先以丙酮为清洗剂超声清洗，然后以无水乙醇为清洗剂超声清洗，最后以去离子水为清洗剂超声清洗，干燥后得到洁净玻璃衬底。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述靶材为ZnO:Ga半导体陶瓷靶材组成质量比：Ga₂O₃/ZnO＝(1～10)wt.％/(99～90)wt.％。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溅射功率密度为3.0～4.0W·cm^-2。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述电流为32～40A，所述溅射气压为0.4～0.6Pa。

10.一种IPS液晶屏，其特征在于，所述IPS液晶屏包括触屏面板及立式液晶阵列，所述IPS液晶屏还包括设置于触屏面板及立式液晶阵列层之间的如权利要求1-4任一项所述的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜。