[发明专利]AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法在审
| 申请号： | 201810175259.8 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108364864A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/45 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：(1)利用光刻技术，AlGaN/GaN异质结外延片表面制备出源漏欧姆接触窗口；(2)采用ICP刻蚀的方法，对欧姆接触区域进行干法刻蚀，完全去除AlGaN层，并刻蚀至GaN沟道层往下5～20nm处；(3)在源漏区域依次沉积金属Al层、金属Ti层、金属Au层；(4)去胶剥离后，于600～750℃进行合金退火处理，形成欧姆接触电极。相比于传统欧姆接触电极金属体系，本发明的欧姆接触电极合金温度下降了200℃左右，降低了工艺难度，合金后的欧姆接触表面形貌更加平整。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触电极 合金 制备 形貌 欧姆接触表面 欧姆接触区域 金属 异质结外延 表面制备 沉积金属 干法刻蚀 工艺难度 光刻技术 金属体系 欧姆接触 退火处理 源漏区域 刻蚀 去除 去胶 源漏 剥离 平整 | ||
【主权项】：
1.AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，沉积欧姆接触电极前，采用ICP刻蚀的方法将欧姆接触区域AlGaN势垒层全部刻蚀；欧姆接触电极沉积采用三层结构的Al/Ti/Au结构，与刻蚀侧壁及底部GaN形成金半接触界面的是Al。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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