[发明专利]AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法在审
| 申请号： | 201810175259.8 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108364864A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/45 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆接触电极 合金 制备 形貌 欧姆接触表面 欧姆接触区域 金属 异质结外延 表面制备 沉积金属 干法刻蚀 工艺难度 光刻技术 金属体系 欧姆接触 退火处理 源漏区域 刻蚀 去除 去胶 源漏 剥离 平整 | ||
1.AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，沉积欧姆接触电极前，采用ICP刻蚀的方法将欧姆接触区域AlGaN势垒层全部刻蚀；欧姆接触电极沉积采用三层结构的Al/Ti/Au结构，与刻蚀侧壁及底部GaN形成金半接触界面的是Al。
2.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)利用光刻技术，在AlGaN/GaN异质结外延片表面制备出源漏欧姆接触窗口；
(2)采用ICP刻蚀的方法，对欧姆接触区域进行干法刻蚀，完全去除AlGaN层，并刻蚀至GaN沟道层往下5～20nm处；
(3)在源漏区域依次沉积金属Al层、金属Ti层、金属Au层；
(4)去胶剥离后，于600～750℃进行合金退火处理，形成欧姆接触电极。
3.根据权利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述刻蚀深度为至GaN沟道5～20nm处。
4.根据权利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述金属Al层的厚度为10～20nm。
5.根据权利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述金属Ti层的厚度为20～60nm。
6.根据权利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述属Au层的厚度为40～100nm。
7.根据权利要求4～6任一项所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述沉积为热蒸发、电子束蒸发或磁控溅射沉积。
8.根据权利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述退火处理为在氮气气氛或真空中进行合金退火，退火时间为60～120s。
9.根据权利要求8所述的AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述真空的真空度为10-2Pa以下。
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