[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810170561.4 | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN108281358A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在所述栅极两侧分别形成间隔件；以所述栅极和所述间隔件为掩模来刻蚀所述衬底以形成凹槽；在所述间隔件两侧分别形成伪侧墙；以所述栅极、所述间隔件和所述伪侧墙为掩模来刻蚀所述衬底以形成凹部，所述凹部具有比所述凹槽更深的深度；去除所述伪侧墙；以及在所述凹槽和所述凹部中填充SiGe，从而形成所述半导体器件的源漏扩展区和源极/漏极区；其中，在所述填充SiGe的步骤之前，还包括对所述衬底进行加热以使得所述衬底的材料回流从而至少改变所述凹槽的接近栅极一侧的侧壁的形状的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 间隔件 半导体器件 伪侧墙 凹部 刻蚀 掩模 填充 源极/漏极区 源漏扩展区 栅极绝缘层 材料回流 侧壁 去除 加热 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在所述栅极两侧分别形成间隔件；以所述栅极和所述间隔件为掩模来各向异性地刻蚀所述衬底以形成凹槽，所述凹槽的接近栅极一侧的侧壁与所述间隔件的侧壁基本齐平，并且所述凹槽的所述侧壁的上端具有角部；在所述间隔件两侧分别形成伪侧墙；对所述衬底进行加热以使得所述衬底的材料回流从而至少改变所述角部的形状，并使得所述角部相对于所述侧壁的其余部分更接近所述栅极的边缘；在所述回流之后，以所述栅极、所述间隔件和所述伪侧墙为掩模来刻蚀所述衬底以形成凹部，所述凹部具有比所述凹槽更深的深度；去除所述伪侧墙；以及在所述凹槽和所述凹部中填充SiGe，从而形成所述半导体器件的源漏扩展区和源极/漏极区；其中对所述衬底进行加热的步骤是在氢气氛中进行的，并且对所述衬底进行加热的温度在750℃到850℃的范围内，加热的时间为30秒到5分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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