[发明专利]深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810167284.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108364867B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;尤政;崔志超 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王赛 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：提供覆盖有图形化的掩膜层的硅片，首先刻蚀未被所述掩膜层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，还包括循环重复的钝化步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，直至达到预定的刻蚀深度。其中，随着循环周期次数的增加，至少满足条件(1)至(3)中的至少一个：(1)所述钝化步骤的沉积时间随着所述循环周期次数的增加而增加；(2)所述第二刻蚀步骤的平板电极功率随着所述循环周期次数的增加而增大；(3)所述第二刻蚀步骤的气压随着所述循环周期次数的增加而减小。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 刻蚀步骤 循环周期 钝化步骤 掩膜层 硅片表面 满足条件 平板电极 循环重复 图形化 侧壁 硅片 减小 沉积 覆盖 气压 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种深硅刻蚀方法，包括：提供覆盖有图形化的掩膜层的硅片，首先刻蚀未被所述掩膜层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，其特征在于，还包括以下步骤：钝化步骤：在所述刻蚀面、所述侧壁和所述掩膜层的表面沉积钝化层；第一刻蚀步骤：进行各向异性等离子体刻蚀，以去除所述刻蚀面上覆盖的所述钝化层而使所述刻蚀面暴露，而所述侧壁上覆盖的所述钝化层不被完全去除；第二刻蚀步骤：进行等离子体刻蚀，以刻蚀所述暴露的刻蚀面，所述侧壁被所述侧壁上覆盖的所述钝化层保护而不被刻蚀；循环重复所述钝化步骤、所述第一刻蚀步骤和所述第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度；并且随着循环周期次数的增加，至少满足条件(1)至(3)中的至少一个：(1)所述钝化步骤的沉积时间随着所述循环周期次数的增加而匀速增加；(2)所述第二刻蚀步骤的平板电极功率随着所述循环周期次数的增加而增大；(3)所述第二刻蚀步骤的气压随着所述循环周期次数的增加而减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
