[发明专利]深硅刻蚀方法

权利要求书

1.一种深硅刻蚀方法，包括：提供覆盖有图形化的掩膜层的硅片，首先刻蚀未被所述掩膜层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，其特征在于，还包括以下步骤：

钝化步骤：在所述刻蚀面、所述侧壁和所述掩膜层的表面沉积钝化层；

第一刻蚀步骤：进行各向异性等离子体刻蚀，以去除所述刻蚀面上覆盖的所述钝化层而使所述刻蚀面暴露，而所述侧壁上覆盖的所述钝化层不被完全去除；

第二刻蚀步骤：进行等离子体刻蚀，以刻蚀所述暴露的刻蚀面，所述侧壁被所述侧壁上覆盖的所述钝化层保护而不被刻蚀；

循环重复所述钝化步骤、所述第一刻蚀步骤和所述第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度；

并且随着循环周期次数的增加，至少满足条件(1)至(3)中的至少一个：

(1)所述钝化步骤的沉积时间随着所述循环周期次数的增加而匀速增加；

(2)所述第二刻蚀步骤的平板电极功率随着所述循环周期次数的增加而增大；

(3)所述第二刻蚀步骤的气压随着所述循环周期次数的增加而减小。

2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(1)中所述钝化步骤的所述沉积时间随着所述循环周期次数的增加而匀速增加的增加速率为0～2.0×10^-3s/周期。

3.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(2)中所述第二刻蚀步骤的所述平板电极功率随着所述循环周期次数的增加而匀速增大。

4.根据权利要求3所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(2)中所述第二刻蚀步骤的所述平板极板功率随着所述循环周期次数的增加而匀速增大的增大速率为0～0.2W/周期。

5.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(3)中所述第二刻蚀步骤的所述气压随着所述循环周期次数的增加而匀速减小。

6.根据权利要求5所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(3)中所述第二刻蚀步骤的所述气压随着所述循环周期次数的增加而匀速减小的减小速率为0～0.1mTorr/周期。

7.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，随着所述循环周期次数的增加还满足条件(4)所述第二刻蚀步骤的刻蚀时间随着所述循环周期次数的增加而增加。

8.根据权利要求7所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(4)中所述第二刻蚀步骤的所述刻蚀时间随着循环周期次数的增加而匀速增加。

9.根据权利要求8所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述条件(4)中所述第二刻蚀步骤的所述刻蚀时间随着循环周期次数的增加而匀速增加的增加速率为0～3×10^-2s/周期。

10.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述循环周期次数大于800。

11.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述钝化步骤的平板电极功率为0，所述第一刻蚀步骤的平板电极功率为100W～1000W，所述第二刻蚀步骤的平板电极功率为30W～1000W。

12.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述钝化步骤的沉积时间随着循环周期次数的增加而匀速增加，增加速率为0～2.0×10^-2s/周期；所述第二刻蚀步骤的平板电极功率随着所述循环周期次数的增加逐渐增大，增大速率为0～0.2W/周期；以及所述第二刻蚀步骤的气压随着所述循环周期次数的增加逐渐减小，减小速率为0～0.1mTorr/周期。