[发明专利]一种超材料微桥结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810166632.3 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN108358157B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 苟君;牛青辰;王军;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 徐金琼
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种超材料微桥结构,涉及室温下太赫兹探测阵列成像技术领域,包括衬底和驱动电路层,驱动电路层上设有电路接口,还包括从下至上依次设置的底层金属薄膜、中间介质层、电极层、热敏薄膜层、钝化层和顶层金属薄膜;所述中间介质层包括桥面、桥腿和桥柱;底层金属薄膜的一部分位于桥面下方,另一部分位于桥柱下方,位于桥面下方的金属薄膜与驱动电路层之间形成空腔;电极层与电路接口连接,电极层的中央形成凹陷部分;热敏薄膜层的底部通过所述凹陷部分与中间介质层接触。本发明解决了现有的超材料微桥结构容易产生形变、制备工艺复杂的问题,同时进一步提高器件的热响应速率。
搜索关键词: 一种 材料 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超材料微桥结构,包括衬底(10)和驱动电路层(20),驱动电路层(20)上设有电路接口(21),其特征在于,还包括从下至上依次设置在驱动电路层(20)上的底层金属薄膜(40)、中间介质层(50)、电极层(60)、热敏薄膜层(70)、钝化层(80)和顶层金属薄膜(90);所述中间介质层(50)包括桥面、桥腿和桥柱,中间介质层的桥腿部分位于驱动电路层(20)上方;底层金属薄膜(40)的一部分位于桥面下方,另一部分位于桥柱下方,位于桥面下方的底层金属薄膜与驱动电路层(20)之间形成空腔,位于桥柱下方的金属薄膜与电路接口(21)连接;电极层(60)与电路接口(21)连接,电极层(60)的中央形成凹陷部分;热敏薄膜层(70)的底部通过所述凹陷部分与中间介质层(50)接触。
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