[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201810166555.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108336118B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赵攀;蒋志亮;乔梓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括：基底，所述基底包括显示区和位于所述显示区周围的非显示区；无机层，位于所述基底上；阻挡坝，位于所述非显示区中，并且位于所述无机层的远离所述基底的一侧；至少一个起伏结构，位于所述非显示区中，并且位于所述基底和所述无机层之间，所述至少一个起伏结构在所述基底上的正投影位于所述无机层在所述基底上的正投影之内。在无机层中产生裂缝的情况下，起伏结构可以阻挡裂缝向显示区延伸，提高显示基板的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示基板，包括：基底，所述基底包括显示区和位于所述显示区周围的非显示区；无机层，位于所述基底上；阻挡坝，位于所述非显示区中，并且位于所述无机层的远离所述基底的一侧；至少一个起伏结构，位于所述非显示区中，并且位于所述基底和所述无机层之间，其中，所述至少一个起伏结构在所述基底上的正投影位于所述无机层在所述基底上的正投影之内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
