[发明专利]一种设计具有多孔介质层的集成电路的方法有效
| 申请号： | 201810166457.8 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108388735B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 赵红英 | 申请（专利权）人： | 深圳市恒凯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 罗华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种设计具有多孔介质层的集成电路的方法，该方法通过计算设备控制集成电路设计工具(飞秒激光设备)，该方法不需要使用掩模工艺，也就省去了掩模版，突破了掩模版的限制，同时不使用有毒的显影步骤，还省去了对多孔介质层的暴露的孔结构的“封堵”工艺，减少了制备工艺，缩短了制备流程，节约了成本，并且提高了半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设计 具有 多孔 介质 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设计具有多孔介质层的集成电路的方法，该方法包括有：在所述计算设备上存储所需设计的所述集成电路的布图结构；将所述计算设备与所述实施集成电路设计工具进行连接，所述实施集成电路设计工具为飞秒激光刻蚀设备，该飞秒激光刻蚀设备用于对所述集成电路的所述多孔层间介质层进行刻蚀；利用在所述计算设备上的所述实施集成电路设计工具，识别在集成电路上的需要形成互连结构的区域；利用所述飞秒激光刻蚀设备，对所述的需要形成互连结构的区域的多孔介质层进行刻蚀形成开口结构，飞秒激光在刻蚀所述多孔介质层时，通过对暴露的孔结构的局部熔化使暴露的所述孔结构密封；在所述开口结构中形成金属互连线，形成具有多孔介质层的集成电路结构。
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