[发明专利]基于电双稳特性的单层聚合物电存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810166367.9 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108447989A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 石胜伟;李文婷 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;闭钊 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于电双稳特性的单层聚合物电存储器及其制造方法。该电存储器包括玻璃衬底或PET衬底或PI衬底、ITO底电极、PEDOT:PSS空穴注入层、MEH‑PPV或PFO或P‑PPV光电聚合物活性功能层以及金属顶电极，各层通过溶液旋涂或蒸镀而成。本发明提供的电存储器件结构简单，具有优良的电双稳态特性、存储响应速度以及稳定性，其读写过程无论在高导态还是低导态都有较低的误读率，即便开关百万次以上电流也没有明显变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电存储器 衬底 单层聚合物 电双稳特性 电存储器件 光电聚合物 金属顶电极 空穴注入层 电双稳态 活性功能 底电极 读写 高导 误读 旋涂 蒸镀 制造 存储 玻璃 响应 | ||
【主权项】：
1.基于电双稳特性的单层聚合物电存储器，其特征在于，该单层聚合物电存储器的结构包括自下而上的衬底、底电极、空穴注入层、光电聚合物活性功能层以及顶电极，其中光电聚合物活性功能层选自MEH‑PPV、PFO、P‑PPV中的一种。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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