[发明专利]基于电双稳特性的单层聚合物电存储器及其制造方法

权利要求书

1.基于电双稳特性的单层聚合物电存储器，其特征在于，该单层聚合物电存储器的结构包括自下而上的衬底、底电极、空穴注入层、光电聚合物活性功能层以及顶电极，其中光电聚合物活性功能层选自MEH-PPV、PFO、P-PPV中的一种。

2.根据权利要求1所述的基于电双稳特性的单层聚合物电存储器，其特征在于：所述衬底选自玻璃、聚酯、聚酰亚胺中的一种，所述底电极为ITO，所述空穴注入层为PEDOT:PSS，所述顶电极选自Au、Ba、Al中的一种或其混合物。

3.根据权利要求1所述的基于电双稳特性的单层聚合物电存储器，其特征在于：所述底电极的厚度为50-300nm，空穴注入层的厚度为20-120nm，光电聚合物活性功能层的厚度为50-200nm，顶电极的厚度为50-300nm。

4.根据权利要求1所述的基于电双稳特性的单层聚合物电存储器，其特征在于：所述顶电极包括位于最上层的厚度为40-250nm的Al及Al下面厚度为10-50nm的Ba。

5.根据权利要求1所述的基于电双稳特性的单层聚合物电存储器，其特征在于：所述底电极与顶电极交叉排列。

6.基于电双稳特性的单层聚合物电存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)在衬底上制备ITO薄膜，接着光刻形成底电极，然后清洗干净；

(b)在ITO电极上旋涂PEDOT:PSS溶液，干燥形成PEDOT:PSS薄膜；

(c)在PEDOT:PSS薄膜上旋涂MEH-PPV溶液或PFO溶液或P-PPV溶液，干燥后形成光电聚合物薄膜；

(d)在光电聚合物薄膜上制备与底电极交叉的顶电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤(a)中所述衬底为玻璃衬底或PET衬底或PI衬底，通过磁控溅射法或沉积法在衬底上形成ITO薄膜，接着将ITO薄膜光刻成设计尺寸的底电极，最后洗涤吹干并用臭氧等离子体处理。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤(b)中干燥温度为50-150℃，干燥时间0.5-3h；步骤(c)中干燥温度为50-200℃，干燥时间10-40min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤(d)中采用蒸镀法在光电聚合物薄膜上制备金属顶电极，所述顶电极选自Au、Ba、Al中的一种或其混合物，蒸镀时的真空度为(1-5)×10^-4Pa，金属的蒸发速率控制在0.2-2纳米/秒。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述底电极的厚度为50-300nm，所述PEDOT:PSS薄膜的厚度为20-120nm，所述光电聚合物薄膜的厚度为50-200nm，所述顶电极的厚度为50-300nm。