[发明专利]半导体器件及形成方法有效
| 申请号： | 201810166065.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110211944B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 桂珞;朱继光;高剑琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种半导体器件，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层上的氧化硅层，在所述半导体衬底层和所述氧化硅层之间的锗材料层，在所述锗材料层上的粘合层，以及在所述粘合层上的通孔金属层。本发明能够避免锗材料层遭到H |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层上的氧化硅层，在所述半导体衬底层和所述氧化硅层之间的锗材料层，在所述锗材料层上的粘合层，以及在所述粘合层上的通孔金属层。
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