[发明专利]半导体器件及形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底层，

所述半导体衬底层上的氧化硅层，

在所述半导体衬底层和所述氧化硅层之间的锗材料层，

在所述锗材料层上的粘合层，

以及在所述粘合层上的通孔金属层；

其中，所述粘合层的材料是氮化钛或氮化钽。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔金属层的上表面与所述氧化硅层的上表面齐平。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述半导体衬底层和所述氧化硅层之间的金属硅化物层。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层上也有通孔金属层，所述金属硅化物层上的所述通孔金属层和所述金属硅化物层之间也有粘合层。

5.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底层上生长一层氧化硅层；

在需要生长锗材料层的位置对所述氧化硅层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底层，然后形成锗材料层；

在所述氧化硅层和所述锗材料层上形成粘合层；

在所述粘合层上生长氧化硅层；

去除多余的氧化硅层以及多余的粘合层使表面平坦化；

再生长氧化硅层；

在所述锗材料层的上方需要开孔的位置蚀刻以形成通孔；

在所述半导体器件的表面再形成一层通孔金属层；

对所述半导体器件的表面进行平坦化。

6.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，氧化硅层的生长方法是原子层沉积、物理气相淀积、化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积工艺中的一种。

7.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，对所述氧化硅层进行刻蚀采用等离子刻蚀工艺。

8.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，粘合层的材料采用氮化钛。

9.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，粘合层的材料采用氮化钽。

10.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，在所述半导体器件的表面电镀一层粘合层的步骤中粘合层的厚度达到或者超过100A。

11.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，去除多余的氧化硅层以及多余的粘合层后，保留的粘合层在所述锗材料层上方。

12.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，去除多余的氧化硅层以及多余的粘合层后，保留的氧化硅层包括在在原来锗材料层上方的氧化硅层以及在所述锗材料层旁边，原来所述粘合层下方的氧化硅层。

13.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，在所述锗材料层的上方需要开孔的位置蚀刻以形成通孔的步骤中，蚀刻将所述通孔的位置的氧化硅全部蚀刻掉，并且蚀刻掉一部分的粘合层。

14.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，所述通孔金属层的材料是金属钨或者金属铜。

15.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，对所述半导体器件的表面进行平坦化后，通孔以外的粘合层被去除。

16.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，还包括在半导体衬底层上生长形成金属硅化物层的步骤。

17.如权利要求16的形成半导体器件的方法，其特征在于，还包括在所述金属硅化物层的上方需要开孔的位置蚀刻以形成通孔。

18.如权利要求5的形成半导体器件的方法，其特征在于，在所述半导体器件的表面再形成一层通孔金属层的步骤包括首先形成一层新的粘合层，然后在所述新的粘合层上形成所述通孔金属层。