[发明专利]垂直多结硅光伏器件的电极引线及集成方法有效
| 申请号： | 201810165627.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108400176B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张治国 | 申请（专利权）人： | 张治国 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴家伟 |
| 地址： | 362000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直多结硅光伏器件的电极引线，包括：P区域和N区域，形成PN相间的二极管阵列；所述PN相间的二极管阵列的纵向线阵列上设置有P型导电隔离线，掺杂后形成的P型导电隔离线将芯片隔离成两个区域，分别为敏感区和电极敷设留下的区域；还提供了一种垂直多结硅光伏器件的集成方法。本发明的有益效果有：一是P型隔离层可以把所有的P区域连接起来(形成二极管阵列的并联连接)；二是避免了电极金属层对敏感区的遮挡；三是解决了金属电极光刻套不准的难题；四是利用了铝的最大固溶度，形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管阵列 硅光伏器件 多结 隔离线 敏感区 电极引线 垂直 电极金属层 最大固溶度 并联连接 欧姆接触 芯片隔离 电极 敷设 金属电 纵向线 遮挡 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种垂直多结硅光伏器件的电极引线，其特征在于，包括：P区域和N区域，所述P区域和N区域形成PN相间的二极管阵列；所述PN相间的二极管阵列的纵向线阵列上设置有P型导电隔离线；所述P型导电隔离线通过掺杂形成；掺杂后形成的P型导电隔离线将芯片隔离成两个区域，分别为敏感区和用于敷设电极的区域；/n其中，所述纵向为垂直于所述P区域和N区域的平行排布的方向；P型导电隔离线把所有的P区域连接起来；/n所述垂直多结硅光伏器件的电极引线还包括N+区和P型电极引线区；所述N+区和P型电极引线区处覆盖有银铝浆；在一个单元的器件中，覆盖N+区的银铝浆是二极管负极，覆盖所述P型导电隔离线一侧的用于敷设电极的区域的银铝浆是二极管正极。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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