[发明专利]垂直多结硅光伏器件的电极引线及集成方法

权利要求书

1.一种垂直多结硅光伏器件的电极引线，其特征在于，包括：P区域和N区域，所述P区域和N区域形成PN相间的二极管阵列；所述PN相间的二极管阵列的纵向线阵列上设置有P型导电隔离线；所述P型导电隔离线通过掺杂形成；掺杂后形成的P型导电隔离线将芯片隔离成两个区域，分别为敏感区和用于敷设电极的区域；

其中，所述纵向为垂直于所述P区域和N区域的平行排布的方向；P型导电隔离线把所有的P区域连接起来；

所述垂直多结硅光伏器件的电极引线还包括N+区和P型电极引线区；所述N+区和P型电极引线区处覆盖有银铝浆；在一个单元的器件中，覆盖N+区的银铝浆是二极管负极，覆盖所述P型导电隔离线一侧的用于敷设电极的区域的银铝浆是二极管正极。

2.如权利要求1所述的垂直多结硅光伏器件的电极引线，其特征在于，所述P区域为凹槽。

3.一种垂直多结硅光伏器件的集成方法，其特征在于，所述垂直多结硅光伏器件包括如权利要求1-2任一项所述的垂直多结硅光伏器件的电极引线，包括：

将硅片进行备用处理；

将经过备用处理的硅片依次在镀膜机和烧结炉中进行加热处理，并进行清洗；

将清洗后的硅片放入热迁移掺杂炉，无铝表面温度1000℃，温度梯度100℃/cm；热迁移掺杂时间2.5小时，真空度3×10^-4毫米汞柱；

将热迁移掺杂后的硅片作成形处理。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将硅片进行备用处理的步骤具体为：

取厚800-1000μm，电阻率30-60Ωcm经过磨平工艺后的N型硅片备用；在砂轮划片机的电脑屏幕上设计出预设的图形；并标识出需要加工的区域；选用20μm厚砂轮片；按照预设的图形加工成20μm宽，40μm深的槽；将划好图形的硅片用自来水冲洗，用去离子水超声清洗5分钟两次，用无水乙醇超声清洗5分钟两次，用丙酮超声清洗5分钟，再用无水乙醇超声清洗5分钟，浸泡在乙醇溶液内备用。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将经过备用处理的硅片依次在镀膜机和烧结炉中进行加热处理，并进行清洗的步骤具体为：

将经过备用处理的硅片放入镀膜机，槽面向下蒸镀高纯铝；硅片表面温度350℃；铝膜厚度20μm；待硅片温度降到低于100℃时取出硅片；

将所述硅片放入烧结炉中572℃，11分钟后取出硅片；

用平坦的油石磨去槽外的铝和2微米的硅；

用自来水冲洗后再用去离子水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇分别超声清洗硅片2次10分钟，和一次5分钟、5分钟和5分钟。