[发明专利]半导体外延晶片、半导体元件以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201810164543.5 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108538915B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 清泽努 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体外延晶片、半导体元件以及半导体元件的制造方法。半导体外延晶片具备半导体晶片、和配置在半导体晶片的主面上的第1导电型的半导体层。半导体外延晶片具有多个元件区域。多个元件区域各自包括：与半导体层相接的第2导电型的体区域、与体区域相接的第1导电型的源极区域、和配置在半导体层上且配置为与体区域的至少一部分相接的由半导体构成的沟道层。沟道层以1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 外延 晶片 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体外延晶片，具备：半导体晶片；和第1导电型的半导体层，配置在所述半导体晶片的主面上，所述半导体外延晶片具有多个元件区域，所述多个元件区域各自包括：第2导电型的体区域，与所述半导体层相接；第1导电型的源极区域，与所述体区域相接；和由半导体构成的沟道层，配置在所述半导体层上且配置为与所述体区域的至少一部分相接，所述沟道层以1×1018cm‑3以上且1×1019cm‑3以下的浓度包括第1导电型的杂质，并且所述沟道层的厚度为10nm以上且100nm以下，与所述半导体晶片的所述主面平行的面内的、所述沟道层的厚度分布与所述沟道层的所述第1导电型的杂质的浓度分布具有负相关。
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