[发明专利]一种MRAM读出电路有效
| 申请号： | 201810161829.8 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197681B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MRAM读出电路，包括由PMOS管P和电容C组成的电阻基准单元、选择开关组K1、开关K2、比较器和校准电路。进行读操作时，选择开关组K1连接PMOS管P的漏极和被读存储单位以及所述比较器的输入端，并在所述被读存储单元和所述电阻基准单元两端分别加电压Vb和Vb+V_read；所述比较器的另外一个输入为参考电压V_ref，比较器输出读的结果。本发明使用一个PMOS管作为电阻基准进行读操作，通过校准电路调整PMOS管的栅极电压使其电阻精准，大幅减少了占用的芯片面积。此外使用低压V_read(300‑400mV)进行读操作，大大降低了读功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 读出 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM读出电路，包括由PMOS管P和电容C组成的电阻基准单元、选择开关组K1、开关K2、比较器和校准电路，其特征在于，所述电容C连接在所述PMOS管P源极和栅极之间；所述PMOS管P的漏极连接到所述选择开关组K1，根据所述电阻基准单元工作在读操作状态或校准状态，所述选择开关组K1的另一端连接到被读存储单元和所述比较器的输入端，或者连接所述校准电路的输入端；所述PMOS管P的栅极通过所述开关K2连接所述校准电路的输出端；所述校准电路用于校准所述电阻基准单元成为一个电阻基准，进行校准操作时，所述选择开关组K1连通所述PMOS管P的漏极和所述校准电路的输入端，所述开关K2接通；所述校准电路调整所述PMOS管P的栅极电压使其电阻等于希望中的参考值；所述读出电路进行读操作时，所述选择开关组K1连接所述PMOS管P的漏极和所述被读存储单位以及所述比较器的输入端，所述开关K2断开，并在所述被读存储单元和所述电阻基准单元两端分别加电压Vb和Vb+V_read；所述比较器的另外一个输入为参考电压V_ref，比较器输出读的结果。
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