[发明专利]一种MRAM读出电路

权利要求书

1.一种MRAM读出电路，包括由PMOS管P和电容C组成的电阻基准单元、选择开关组K1、开关K2、比较器和校准电路，其特征在于，

所述电容C连接在所述PMOS管P源极和栅极之间；

所述PMOS管P的漏极连接到所述选择开关组K1，根据所述电阻基准单元工作在读操作状态或校准状态，所述选择开关组K1的另一端连接到被读存储单元和所述比较器的输入端，或者连接所述校准电路的输入端；

所述PMOS管P的栅极通过所述开关K2连接所述校准电路的输出端；

所述校准电路用于校准所述电阻基准单元成为一个电阻基准，进行校准操作时，所述选择开关组K1连通所述PMOS管P的漏极和所述校准电路的输入端，所述开关K2接通；所述校准电路调整所述PMOS管P的栅极电压使其电阻等于希望中的参考值；

所述读出电路进行读操作时，所述选择开关组K1连接所述PMOS管P的漏极和所述被读存储单元 以及所述比较器的输入端，所述开关K2断开，并在所述被读存储单元和所述电阻基准单元两端分别加电压Vb和Vb+V_read；所述比较器的另外一个输入为参考电压V_ref，比较器输出读的结果。

2.如权利要求1所述的MRAM读出电路，其特征在于，所述校准电路包括参考电阻组、参考单元组和运算放大器OP；所述参考电阻组包括一组等同的参考电阻和与之等同的另外一个参考电阻；所述参考单元组包括一组并联连接的参考单元；所述参考电阻组的一组等同的参考电阻和所述参考单元组的参考单元串联，连接点为A；所述参考电阻组的另外一个参考电阻的一端和所述一组等同的参考电阻组连接到一起，另一端连接到所述校准电路的输入端B点；所述运算放大器OP的两个输入分别连接到所述A点和B点，所述运算放大器OP的输出即所述校准电路的输出。

3.如权利要求1所述的MRAM读出电路，其特征在于，所述校准电路包括轮转控制单元，所述轮转控制单元周期性地给MRAM芯片中所有的读出电路进行校准。