[发明专利]一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法有效
申请号: | 201810156245.1 | 申请日: | 2018-02-24 |
公开(公告)号: | CN108255013B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 郑衍畅;胡华奎;王海;杨春来 | 申请(专利权)人: | 安徽工程大学 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 方文倩 |
地址: | 241000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明适用于光栅加工技术领域,提供了一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法,包括如下步骤:将带有光刻胶光栅掩模的基底放置于加热平台上;在光栅掩模的表面加盖PDMS垫片,并进行预热;用圆棒在PDMS垫片上朝着光栅条的延伸方向单向滚压,直至PDMS垫片与光栅掩模完全接触;在PDMS垫片上依次加盖薄纸片及玻璃基片;从上到下对玻璃基片施加载荷,对光栅基底进行加热;对光栅进行冷却,冷却至光刻胶的玻璃化转变温度以下,依次卸除载荷、玻璃基片及薄纸片;揭开PDMS垫片的一端,缓慢的揭掉整个PDMS垫片,获得占宽比增大的光刻胶光栅掩模。通过上述加工方法获取的光栅掩模占宽比明显增大的同时,光栅掩模线条粗细均匀,且光栅掩模线条表面平整,侧壁陡直。 | ||
搜索关键词: | 一种 增大 光刻 光栅 掩模占宽 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S1、将带有光刻胶光栅掩模的基底放置于加热平台上;S2、在光栅掩模的表面加盖PDMS垫片,并进行预热,预热温度低于光刻胶的玻璃化转变温度;S3、用圆棒在PDMS垫片上朝着光栅条的延伸方向单向滚压,直至PDMS垫片与光栅掩模完全接触;S4、在PDMS垫片上依次加盖薄纸片及玻璃基片;S5、从上到下对玻璃基片施加载荷,对光栅基底进行加热,加热至光刻胶的玻璃化转变温度以上;S6、对光栅进行冷却,冷却至光刻胶的玻璃化转变温度以下,依次卸除载荷、玻璃基片及薄纸片;S7、揭开PDMS垫片的一端,缓慢的揭掉整个PDMS垫片,获得占宽比增大的光刻胶光栅掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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