[发明专利]一种肖特基二极管设计和制作方法在审
| 申请号： | 201810155182.8 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108461550A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 姜春亮;李伟;李伟聪;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L27/02 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘立春 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管设计和制作方法，所述设计和制作方法如下：Hardmask生长、Trench光刻与刻蚀，Hardmask剥除、GOX氧化层生长、Poly沉积，Poly回刻，介质层(ILD)沉积，Contact光刻刻蚀，金属Al沉积、金属Al刻蚀，背面减薄、背面电极金属Ti/Ni/Ag淀积，本发明结构科学合理，使用安全方便，对比传统型沟槽肖特基的设计，本发明形成肖特基势垒的金属与Si衬底接触面积增大，VF与芯片面积直接相关，由于同一条上的两条沟槽间距要小，本设计验证纵向沟槽采用小于等于1.5um间距，两个沟槽之间的电场夹止能力更好，反向漏电会更小，从而在同样的制作工艺基础上获得更优良的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 设计和制作 沉积 肖特基二极管 金属Al 刻蚀 金属 肖特基势垒 氧化层生长 电场 背面电极 背面减薄 衬底接触 反向漏电 结构科学 面积增大 器件性能 设计验证 直接相关 制作工艺 纵向沟槽 介质层 肖特基 剥除 淀积 光刻 回刻 芯片 生长 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管设计和制作方法，其特征在于：所述设计和制作方法如下：步骤一：Hardmask生长、Trench光刻与刻蚀，Hardmask运用到沟槽肖特基中，采用纵向刻蚀间距；步骤二：Hardmask剥除、GOX氧化层生长、Poly沉积，将Hardmask剥除，填充GOX氧化层并使其在沟槽内生长，Poly在GOX氧化层表面沉积；步骤三：Poly回刻，将步骤二所述沉积的Poly进行回刻；步骤四：介质层(ILD)沉积，介质层(ILD)沉积在GOX氧化层表面以及Poly表面；步骤五：Contact光刻刻蚀，势垒金属Ti沉积，Contact光刻刻蚀使得势垒金属Ti沉积在介质层(ILD)的表面；步骤六：金属Al沉积、金属Al刻蚀，金属Al沉积沉积在势垒金属Ti的表面并对其刻蚀；步骤七：背面减薄、背面电极金属Ti/Ni/Ag淀积。
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