[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810154260.2 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN108417560B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙;曹盛纯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个存储单元串；位线；以及互连，其将至少两个存储单元串联接至位线。存储单元串通过对应的互连能被联接至对应的位线。交替的存储单元串通过对应的不同的互连能被联接至不同的位线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个垂直堆叠存储单元串；互连，其将至少两个所述垂直堆叠存储单元串互连；以及位线，联接至所述互连。
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