[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

本公开提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件可以包括垂直地穿过三维半导体存储器件的单元阵列区域中的堆叠结构的上结构和下结构的垂直沟道结构。垂直沟道结构可以具有在垂直沟道结构中的上结构与下结构相遇的水平面处具有台阶轮廓的侧壁。垂直虚设结构可以在该三维半导体存储器件的连接区域中垂直地穿过由上结构和下结构限定的阶梯结构，并且垂直虚设结构可以具有在上结构与下结构相遇的水平面处具有平坦轮廓的侧壁。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：垂直沟道结构，垂直地穿过所述三维半导体存储器件的单元阵列区域中的堆叠结构的上结构和下结构，所述垂直沟道结构具有在所述垂直沟道结构中的所述上结构与所述下结构相遇的水平面处具有台阶轮廓的侧壁；和垂直虚设结构，垂直地穿过由所述三维半导体存储器件的连接区域中的所述上结构和所述下结构限定的阶梯结构，所述垂直虚设结构具有在所述上结构与所述下结构相遇的水平面处具有平坦轮廓的侧壁。