[发明专利]用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法有效
| 申请号： | 201810144019.1 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108468029B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王晋峰;黄猛;田杰;王烨儒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 32230 江苏致邦律师事务所 | 代理人： | 栗仲平 |
| 地址： | 210042 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法：⑴.待改性的碳化硅平面镜，首先采用传统抛光方法或CCOS数控加工方法，利用金刚石微粉对非球面碳化硅反射镜进行研磨和粗抛光；⑵.当碳化硅反射镜面形精度符合改性要求后，利用长条形磁控溅射源在碳化硅镜面表面沉积一层致密的Si改性层；⑶.再利用圆形溅射源对反射镜面形加以修正和改进；⑷.最后对改性层进行精抛光，达到反射镜面形与粗糙度加工要求。本发明解决了碳化硅镜面加工中对改性层厚度把控不适宜而出现的返工问题。本发明方法制作的碳化硅光学镜面，粗糙度可达0.2～0.5ｎｍ，用时可缩短至1.5‑3个月。本发明工艺简单，加工效率和质量明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 改性层 光学镜面 改性 面形 碳化硅反射镜 反射镜面形 磁控溅射 扫描 致密 磁控溅射源 粗糙度加工 金刚石微粉 加工效率 镜面表面 镜面加工 数控加工 研磨 长条形 粗糙度 粗抛光 非球面 溅射源 精抛光 平面镜 再利用 抛光 返工 用时 沉积 制备 改进 修正 制作 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法，其特征在于，步骤如下：/n⑴.待改性的碳化硅平面镜，首先采用传统抛光方法或CCOS数控加工方法，利用金刚石微粉对非球面碳化硅反射镜进行研磨和粗抛光；/n⑵.当碳化硅反射镜面形精度符合改性要求后，利用长条形磁控溅射源在碳化硅镜面表面沉积一层致密的Si改性层；/n⑶.再利用圆形Si靶溅射源对反射镜面形加以修正和改进；/n⑷.最后对改性层进行精抛光，达到反射镜面形与粗糙度加工要求；/n步骤⑵与步骤⑶所述的磁控溅射源采用长条形与圆形两种，其中长条形溅射源长边尺寸应大于待改性碳化硅镜面口径，用于碳化硅镜面改性层的初始生长，圆形溅射源靶材口径根据碳化硅反射镜口径大小分别有Φ40mm、Φ60mm或Φ80mm多种规格进行匹配，圆形溅射源磁场结构经过优化，制备的改性层厚度呈高斯分布，用于碳化硅镜面的面形改进。/n
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