[发明专利]用于碳化硅光学镜面改性与面形提升的磁控溅射扫描方法有效
| 申请号： | 201810144019.1 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108468029B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王晋峰;黄猛;田杰;王烨儒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 32230 江苏致邦律师事务所 | 代理人： | 栗仲平 |
| 地址： | 210042 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 改性层 光学镜面 改性 面形 碳化硅反射镜 反射镜面形 磁控溅射 扫描 致密 磁控溅射源 粗糙度加工 金刚石微粉 加工效率 镜面表面 镜面加工 数控加工 研磨 长条形 粗糙度 粗抛光 非球面 溅射源 精抛光 平面镜 再利用 抛光 返工 用时 沉积 制备 改进 修正 制作 | ||
1.一种碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法，其特征在于，步骤如下：
⑴.待改性的碳化硅平面镜，首先采用传统抛光方法或CCOS数控加工方法，利用金刚石微粉对非球面碳化硅反射镜进行研磨和粗抛光；
⑵.当碳化硅反射镜面形精度符合改性要求后，利用长条形磁控溅射源在碳化硅镜面表面沉积一层致密的Si改性层；
⑶.再利用圆形Si靶溅射源对反射镜面形加以修正和改进；
⑷.最后对改性层进行精抛光，达到反射镜面形与粗糙度加工要求；
步骤⑵与步骤⑶所述的磁控溅射源采用长条形与圆形两种，其中长条形溅射源长边尺寸应大于待改性碳化硅镜面口径，用于碳化硅镜面改性层的初始生长，圆形溅射源靶材口径根据碳化硅反射镜口径大小分别有Φ40mm、Φ60mm或Φ80mm多种规格进行匹配，圆形溅射源磁场结构经过优化，制备的改性层厚度呈高斯分布，用于碳化硅镜面的面形改进。
2. 根据权利要求1所述的碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法，其特征在于，步骤⑴之前的碳化硅镜片，只需初步加工至RMS λ/10，即可进行表面改性与面形改进。
3.根据权利要求1所述的碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法，其特征在于，步骤⑵的具体操作是：首先进行碳化硅镜面改性层初始生长，使用长条形磁控溅射源，采用往复运动方式，溅射材料为多晶硅，膜层厚度2μm-6μm。
4.根据权利要求1所述的碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法，其特征在于，步骤⑶的具体操作是：通过干涉仪测定，根据碳化硅镜面面形高低分布情况，利用圆形溅射源，通过计算机设置圆形硅靶在碳化硅镜面表面的运行扫描轨迹以及硅靶在工件表面不同位置的驻留时间，对碳化硅镜面的面形加以改进。
5.根据权利要求1-4之一所述的碳化硅光学镜面改性层制备与面形改进提升的磁控溅射扫描方法，其特征在于，步骤⑵中所述致密的Si改性层的厚度为4μm。
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