[发明专利]一种采用激光直写的原子层刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810143612.4 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108364859A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张伟;刘前 | 申请（专利权）人： | 苏州华维纳纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F1/50;B82B3/00 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种采用激光直写的原子层刻蚀方法，具体包括以下步骤：步骤a：选取GaAs基底；步骤b：对所述GaAs基底进行去除氧化层处理以及生长缓冲层处理；步骤c：在所述步骤b所得基底上沉积InAs薄膜或InGaAs薄膜；步骤d：采用激光直写在所述步骤c所得的InAs薄膜或InGaAs薄膜上进行图形化的刻写。该制备方法可在GaAs基材料表面实现原子层精度的刻蚀，并且制备简便，结构具有可设计性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 激光直写 原子层 刻蚀 制备 刻写 可设计性 缓冲层 图形化 氧化层 基底 沉积 去除 生长 | ||
【主权项】：
1.一种采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征在于所述制备方法包括以下步骤：步骤a：选取GaAs基底；步骤b：对所述GaAs基底进行去除氧化层处理以及生长缓冲层处理；步骤c：在所述步骤b所得基底上沉积InAs薄膜或InGaAs薄膜；步骤d：采用激光直写在所述步骤c所得的InAs薄膜或InGaAs薄膜上进行图形化的刻写。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华维纳纳米科技有限公司，未经苏州华维纳纳米科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810143612.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制备方法
- 下一篇：一种石墨烯催化基底腐蚀液及基底腐蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
