[发明专利]一种采用激光直写的原子层刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810143612.4 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108364859A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张伟;刘前 | 申请（专利权）人： | 苏州华维纳纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F1/50;B82B3/00 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 激光直写 原子层 刻蚀 制备 刻写 可设计性 缓冲层 图形化 氧化层 基底 沉积 去除 生长 | ||
1.一种采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征在于所述制备方法包括以下步骤：
步骤a：选取GaAs基底；
步骤b：对所述GaAs基底进行去除氧化层处理以及生长缓冲层处理；
步骤c：在所述步骤b所得基底上沉积InAs薄膜或InGaAs薄膜；
步骤d：采用激光直写在所述步骤c所得的InAs薄膜或InGaAs薄膜上进行图形化的刻写。
2.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤a中的GaAs基底包括GaAs(001)、GaAs(011)和GaAs(111)晶面取向的GaAs基底中的一种。
3.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤b中对基底的处理使用分子束外延设备或气相外延生长设备中的一种。
4.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤b中缓冲层的生长厚度为10nm-10μm之间。
5.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤c中InAs的厚度为0.1ML-1.5ML之间。
6.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤c中InGaAs的厚度为1nm-50nm之间。
7.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤d中，照射到样品表面的激光参数，脉宽为1ns-1000ns之间，能量密度为1mJ/cm2-1J/cm2之间。
8.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤d的执行氛围为空气氛围、真空氛围或惰性气体氛围中的一种。
9.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤d中，基片的温度为10℃-550℃之间。
10.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤d中，激光单次刻写的深度为0.3nm-3nm之间。
11.根据权利要求1所述的采用激光直写的原子层刻蚀方法，其特征是：所述步骤d中，所述激光刻写在同一位置至少套刻两次。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
