[发明专利]图像传感装置的形成方法在审
| 申请号： | 201810141602.7 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN109841639A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郑允玮;周俊豪;李国政;黄薰莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供图像传感装置的形成方法。方法包括提供基板。基板具有正面与背面，且基板具有光接收区与装置区。方法包括分别形成第一晶体管与第一源极/漏极结构于光接收区与装置区中。第一晶体管包括第一栅极结构、光传感结构、与第二源极/漏极结构，第一栅极结构位于正面上，光传感结构与第二源极/漏极结构形成于基板中且分别位于第一栅极结构的两侧，第一源极/漏极结构形成于基板中，且第一源极/漏极结构电性连接至第二源极/漏极结构。方法包括形成光阻挡层于背面上。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 基板 栅极结构 图像传感装置 光传感结构 光接收区 结构形成 装置区 晶体管 背面 电性连接 光阻挡层 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感装置的形成方法，包括：提供一基板，其中该基板具有一正面与一背面，且该基板具有一光接收区与一装置区；分别形成一第一晶体管与一第一源极/漏极结构于该光接收区与该装置区中，其中该第一晶体管包括一第一栅极结构、一光传感结构、与一第二源极/漏极结构，该第一栅极结构位于该正面上，该光传感结构与该第二源极/漏极结构形成于该基板中且分别位于该第一栅极结构的两侧，该第一源极/漏极结构形成于该基板中，且该第一源极/漏极结构电性连接至该第二源极/漏极结构；以及形成一光阻挡层于该背面上，其中该光阻挡层覆盖整个该第一源极/漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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